采用Zn0.9Mg0.1O和Zn0.95Mg0.05O納米晶作為ETL，還實現(xiàn)了其他高效的紅色QLED。器件中的電荷平衡源于金屬離子摻雜引起的較大電子注入勢壘，導(dǎo)致電子遷移率降低?；蛘?，迫切需要提出一種在不犧牲電子遷移率的情況下顯著提高空穴遷移率的方法，以實現(xiàn)穩(wěn)定高效的QLED；開發(fā)加工簡單的QLED類型，不包括絕緣和超薄功能層，以實現(xiàn)QLED的經(jīng)濟(jì)高效和高通量解決方案制造。由于電子和空穴注入、俄歇復(fù)合以及金屬離子擴(kuò)散和遷移的不平衡速率，膠體QLED的EQE適中，使用壽命有限。大多數(shù)工作都致力于電子注入層的改性和界面工程，以獲得更好的QLED，而最近的幾項工作則側(cè)重于空穴注入層的改性。